Analisa Reaksi MonomethylGermane pada Permukaan Si (001) Dengan Menggunakan Rheed dan XPS – Dalam rangka Pembuatan Ge yang Tertanam dalam Struktur Si

Abstrak

Reaksi permukaan tahap awal antara permukaan monomethylgermane (MMGe: GeH3CH3) dan Permukaan Si (001) telah dianalisa menggunakan reflection high-energy electron diffraction (RHEED), scanning tunneling microscopy (STM) dan X-Ray photoelectron spectroscopy (XPS). Reaksi yang sama terjadi dengan menggunakan monomethylsilane. Yaitu, struktur c(4x4) yang mungkin disebabkan oleh penggabungan karbon ke dalam substrat Si, tampak setelah penambahan molekul MMGe, diikuti pembentukan gundukan SiC pada saat c(4x4) hilang. Pada waktu yang sama, Spot Ge yang berikatan diamati di dekat spot SiC kembar. XPS menunjukkan bahwa atom-atom Ge terdapat dalam bentuk Ge atau SiGe pada lapisan permukaan. Puncak fotoluminesensi (PL) yang lemah pada sekitar 0,85 eV dan 0,95 eV, yang dianggap berasal dari nanodot Ge, juga diamati.

Kata kunci
Ge, SiC, Struktur Si(001)-c(4x4), Monometylgermanium . . . . (Download Teks Lengkap (PDF) | Jangan lupa masukkan Verification Code sebelum "Download")